Lötverfahren
Lötverfahren werden entsprechend der Anwendungsanforderungen ausgewählt. Die Einteilung der Lötverfahren kann nach Energieträgern oder nach der Liquidustemperatur des Lotes erfolgen.
- bis 450 °C: Weichlöten
- ab 450 °C: Hartlöten
- über 900 °C: Hochtemperaturlöten (im Vakuum oder unter Schutzgas; siehe DIN 8505 Teil 2)
Die Anwendung entscheidet über das verwendete Verfahren. Hartlötverbindungen weisen im Allgemeinen eine geringere Festigkeit auf als Schweißverbindungen, aber fast immer eine höhere als Weichlötverbindungen.
Auswahl des passenden Lötverfahrens
Beim Löten ist es erforderlich, die zu lötenden Teile auf eine vom jeweiligen Lot abhängige Temperatur zu bringen. Für die Realisierung einer bestimmten Lötaufgabe müssen folgende Kriterien bei der Auswahl des Lötverfahrens bzw. der Erwärmungsmethode berücksichtigt werden:
- die zu lötenden Grundwerkstoffe
- das ausgewählte Lot (u. a. abhängig von auftretenden mechanischen, thermischen und chemischen/korrosiven Beanspruchungen auf die Lötstelle im Betrieb)
- die geometrischen Gestaltungsmerkmale (Konstruktion und Abmessungen der Lötteile) und die Masse des Werkstücks
- die Art der Aktivierung der Werkstoffoberflächen (Oxidbeseitigung)
- die Wirtschaftlichkeit (Stückzahl der zu lötenden Teile, Kosten und Zeitbedarf für den Lötprozesses, Verfügbarkeit bestimmter Lötausrüstungen)
Zur Verfügung stehende Lötverfahren:
- Vakuum- und Schutzgasofenlöten (auch gekoppelt mit anschließender Wärmenachbehandlung)
- Flammlöten
- MF- und HF-Induktionslöten
- Laserstrahllöten
Für die Bearbeitung kundenspezifischer Lötanfragen und -aufträge steht ein löttechnisches Laboratorium u. a. mit Feinvakuumöfen und Hochvakuumöfen sowie Schutzgasöfen zur Verfügung.
Das Vakuumlöten im Ofen erlangt dabei als modernes und innovatives Fertigungsverfahren eine ständig wachsende Bedeutung. Dies gilt für den Einsatz in konventionellen sowie in hoch spezialisierten Industriezweigen, wie beispielsweise der Luft- und Raumfahrttechnik, dem Turbinenbau und der Kern- und Reaktortechnik.